[發明專利]半導體裝置和其制造方法在審
【摘要】：
本公開涉及一種半導體裝置和其制造方法。所述半導體裝置包含：襯底；第一氮化物半導體層，其在所述襯底上方；半導體堆疊，其安置在所述第一氮化物半導體層上并與所述第一氮化物半導體層接觸；以及第一電極，其與所述半導體堆疊接觸。其中所述半導體堆疊包括第一層和第二層，并且所述第一層沿著a軸的晶格常數小于所述第二層。
【主權項】：
暫無信息
| 申請號： | 202080002884.8 | 申請日： | 2020-07-01 |
| 公開/公告號： | CN112219283A | 公開/公告日： | 2021-01-12 |
| 申請/專利權人： | 英諾賽科（珠海）科技有限公司 | ||
| 發明/設計人： | 邱漢欽 | ||
| 主分類號： | H01L29/778 | ||
| 分類號： | H01L29/778;H01L29/04;H01L21/335 | ||
| 搜索關鍵詞： | 半導體 裝置 制造 方法 | ||
| 地址： | 519085 廣東省珠*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
| 代理公司： | 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287 | 代理人： | 王允方 |
| 權利要求書： | 暫無信息 | 說明書： | 暫無信息 |
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