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    [發明專利]一種異質結太陽電池銅電極的無掩膜制備方法有效

    專利信息
    申請號: 202110291110.8 申請日: 2021-03-18
    公開(公告)號: CN113066897B 公開(公告)日: 2022-02-22
    發明(設計)人: 俞健;李君君;陳濤;黃躍龍 申請(專利權)人: 西南石油大學
    主分類號: H01L31/18 分類號: H01L31/18;H01L31/0224;H01L31/0747
    代理公司: 北京天奇智新知識產權代理有限公司 11340 代理人: 許馳
    地址: 610000 四*** 國省代碼: 四川;51
    權利要求書: 查看更多 說明書: 查看更多
    摘要: 發明公開了一種異質結太陽電池銅電極的無掩膜制備方法,包括如下步驟:制備異質結電池基底,并在異質結電池基底兩面上均沉積透明導電薄膜,異質結電池基底的P側制備金屬柵線,N側浸入溶液中作為負極,P側金屬柵線與鉑電極相連作為正極;通過激光輔助制備銦層金屬種子層;通過化學鍍的方式在所形成的金屬種子層上制備金屬粘合層;通過雙極性脈沖電鍍的方式在所形成的金屬粘合層上制備金屬傳導層;本發明未采用任何掩膜圖形就可實現金屬電極的制備,能顯著降低工藝復雜性,通過激光輔助的方法形成種子層,避免了掩膜去除及全面積種子層的腐蝕過程,亦可降低界面接觸電阻,改善異質結電池的性能,實現高效、低成本的目的。
    搜索關鍵詞: 一種 異質結 太陽電池 電極 無掩膜 制備 方法
    【主權項】:
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    • 林佳繼;龐愛鎖;朱太榮;林依婷 - 深圳市拉普拉斯能源技術有限公司
    • 2020-12-31 - 2022-04-26 - H01L31/18
    • 本發明公開了一種具備氣體均勻彌散功能的鈍化設備,包括隔離箱、位于隔離箱的鈍化箱以及位于鈍化箱內部的載具裝置以及加熱裝置,載具裝置承載切片電池,加熱裝置控制鈍化箱內的溫度,載具裝置與加熱裝置間設有噴淋裝置,噴淋裝置噴淋氧氣或對切片電池的斷面噴淋鈍化氣體,還包括紫外燈管,紫外燈管的紫外線將噴淋裝置噴淋通入的氧氣反應成臭氧,臭氧與切片電池的斷面接觸進行鈍化處理,本發明采用噴淋裝置對切片電池的斷面噴淋臭氧進行鈍化處理的技術方案,操作簡單,可形成產業化,規?;陌l展,本發明可通過紫外燈管產生的臭氧對切片電池的斷面進行鈍化處理,臭氧產生方式多樣。
    • 一種單晶硅片背表面與氧化鋁介面改性優化的方法-202111600361.6
    • 陳家健;祁嘉銘;王丹丹;吳含封;劉泉 - 東莞南玻光伏科技有限公司;中國南玻集團股份有限公司
    • 2021-12-24 - 2022-04-26 - H01L31/18
    • 本發明公開了一種單晶硅片背表面與氧化鋁介面改性優化的方法,涉及太陽能光伏電池制造技術領域。該方法依次包括以下步驟:將單晶硅片背表面置于蝕刻液中蝕刻,減薄量控制在2.47~2.82μm;所述的蝕刻液包括酸液和添加劑,酸液和添加劑的體積比為100:0.7~1.2;所述的酸液由硝酸、氫氟酸和水組成;所述的添加劑由以下質量分數成分組成:亞硝酸鈉0.1~0.5%、酒石酸0.1~0.5%、檸檬酸鈉0.1~0.5%、二甲基亞砜0.1~0.5%、十二烷基苯磺酸鈉0.1~0.5%,余量水;蝕刻完成后,采用背鈍化工藝,在單晶硅片背表面形成氧化鋁背膜,氧化鋁背膜厚度8?12nm,膜厚均勻性在5%?10%范圍內。該優化方法,可增強硅片體內的陷光效應,提升硅片少子壽命、電池片開路電壓和轉換效率。
    • 一種InGaAs/InP體系的單行載流子的光電探測器制備方法-202210051575.0
    • 陳子超;陳釗鑒;金運姜 - 中山大學
    • 2022-01-17 - 2022-04-26 - H01L31/18
    • 本發明公開了一種InGaAs/InP體系的單行載流子的光電探測器制備方法,包括以下步驟:使用HSQ光刻膠在晶圓上進行旋涂然后完成電子束光刻;使用電感耦合等離子體刻蝕法進行垂直刻蝕;使用反應離子束刻蝕法刻蝕殘留的HSQ光刻膠;沉積一層介質膜;使用熱穩定負性光刻膠進行普通光刻曝光,完成器件隔離;使用BCB膠做平坦化處理;使用對電子敏感的ARP光刻膠再次進行電子束光刻曝光出P電極圖型;使用電子束蒸鍍系統蒸鍍相應金屬,然后進行光刻膠的剝離去除其他位置的金屬;使用熱穩定負性光刻膠對N臺面進行光刻,曝光出N電極圖形,電子束蒸鍍系統蒸鍍N臺面上的金屬,再使用丙酮完成剝離,完成器件制備。本發明提高了光電探測器成片的表面潔凈度,同時兼顧臺面刻蝕的質量。
    • 單晶硅小片電池的制備方法-201911174269.0
    • 任常瑞;許佳平;黃計軍;方敏;符黎明 - 常州時創能源股份有限公司
    • 2019-11-26 - 2022-04-26 - H01L31/18
    • 本發明公開了一種單晶硅小片電池的制備方法,包括如下步驟:1)將單晶硅圓棒切成可制備電池整片的長方體狀硅塊;該硅塊包括:一對相背設置的端面,以及位于該對端面之間的四個側面;2)沿垂直于硅塊一對端面且平行于硅塊四個側面中一個側面的方向,將長方體狀硅塊切割出用于制備小片電池的長方體狀小硅塊;該小硅塊包括一對相背設置的端面;3)沿平行于小硅塊端面的方向,對小硅塊進行切片,切割出小片硅片;4)將小片硅片制備成小片電池。小片硅片制備過程中存在的損傷層都能在制絨和背面刻蝕步驟中去除;而且后續的熱氧化、疊層鈍化膜沉積、SiNx薄膜沉積等步驟能夠提供介質鈍化和H鈍化,大幅降低小片電池橫斷面的少子復合。
    • 一種具有循環類量子阱結構的銅鋅錫硫基薄膜前驅體及其制備方法-202011644126.4
    • 洪瑞江;梁云鋒;曾龍龍;曾淳泓 - 中山大學
    • 2020-12-30 - 2022-04-26 - H01L31/18
    • 本發明公開了一種具有循環類量子阱結構的銅鋅錫硫基薄膜前驅體及其制備方法,該制備方法包括:利用天平對生長前后的襯底質量進行精確稱量,并通過摩爾質量換算得到相應前驅體生長源物質的量,以獲取生長源的生長速率、成膜厚度和生長時間之間的關系,然后通過控制生長時間來控制各前驅體生長源元素的配比,進而根據生長時間的劃分,對銅鋅錫硫基薄膜的前驅體進行類量子阱式生長;還包括采用具有高本底真空、生長速率穩定以及可重復性高特點的磁控濺射、熱蒸發或電子束蒸發的生長方法?;谏鲜鲋苽浞椒?,本發明可對薄膜及其前驅體的組成成分及元素配比進行精確調控,解決了現有銅鋅錫硫基薄膜的整體元素配比失衡的技術問題。
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