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    [發明專利]一種晶體生長控制方法和系統在審

    專利信息
    申請號: 202180000165.7點擊下載 申請日: 2021-01-11
    公開(公告)號: CN112789371A 公開(公告)日: 2021-05-11
    發明(設計)人: 王宇;官偉明;梁振興 申請(專利權)人: 眉山博雅新材料有限公司
    主分類號: C30B15/20 分類號: C30B15/20;C30B15/28;C30B28/10;C30B29/22;C30B29/32;C30B29/34
    代理公司: 成都七星天知識產權代理有限公司 51253 代理人: 袁春曉
    地址: 620010 四川省眉*** 國省代碼: 四川;51
    權利要求書: 查看更多 說明書: 查看更多
    摘要: 本說明書實施例公開了一種晶體生長控制方法,包括:獲取目標時間片內的實際晶體參數;獲取目標時間片內的參考晶體參數;基于實際晶體參數和參考晶體參數,確定溫度控制參數;基于實際晶體參數和參考晶體參數,確定提拉控制參數;分別基于溫度控制參數和提拉控制參數,調節目標時間片之后的下一個時間片的溫度和提拉速度。
    搜索關鍵詞: 一種 晶體生長 控制 方法 系統
    【主權項】:
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